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申请/专利权人：润新微电子(大连)有限公司
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体公开了耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二介电层中，栅电极位于第二介电层中，金属连接条贯穿叠层结构和第二介电层的厚度方向，且金属连接条的一端与衬底连接，金属连接条的另一端与源电极或栅电极连接。本发明的HEMT级联型器件，在封装后，实现了在耗尽型GaN器件的源电极与栅电极之间并联电容，能够有效钳制瞬态下的GaN器件的源电极与栅电极之间的电压差，使得整个HEMT级联型器件的电压匹配。
主权项：1.一种耗尽型GaN器件，其特征在于，包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，所述叠层结构包括由下至上依次设置的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和盖帽层，所述源电极和漏电极均位于所述势垒层、盖帽层和第二介电层中，所述栅电极位于所述第二介电层中；所述第一介电层及金属连接条用于在耗尽型GaN器件与MOS器件封装后，使所述耗尽型GaN器件的源电极与栅电极之间形成并联电容结构，所述金属连接条贯穿所述叠层结构和第二介电层的厚度方向，且所述金属连接条的一端与所述衬底连接，所述金属连接条的另一端与所述源电极或栅电极连接；所述第一介电层通过如下方法制备得到：在所述衬底远离所述成核层的一侧进行刻蚀形成刻蚀槽，在所述刻蚀槽中进行沉积形成所述第一介电层；所述刻蚀槽的中心与单个所述耗尽型GaN器件的正面切割道的中心重合。
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百度查询： 润新微电子(大连)有限公司 耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件
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