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申请/专利权人：三峡大学

摘要：一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法，监测电路包括微处理器、恒压源单元、GaN模块。微处理器，用于控制GaN模块开通与关断，还用于采集GaN模块的漏极电流，并根据K曲线计算器件结温；恒压源单元，用于向开通时的GaN模块提供恒定栅极电压。本发明一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法，通过对结温、壳温和热特性衰退的监测，辨别监测GaN模块的散热性能的变化，从而评估GaN模块的可靠性。

主权项：1.一种GaN模块散热性能衰退的监测电路，其特征在于包括：微处理器、恒压源单元、GaN模块；微处理器，用于控制GaN模块开通与关断，还用于采集GaN模块的漏极电流，并计算GaN模块结温；恒压源单元，用于向开通时的GaN模块提供恒定栅极电压；所述恒压源单元包括：单刀双掷开关TM，放大器OP1、OP2、OP3，MOSFET开关，非门NOTGATE，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11，电容C1；单刀双掷开关TM的引脚S1、引脚S2均连接参考电压Vref，单刀双掷开关TM的引脚SEL连接微处理器的控制输入SV端，单刀双掷开关TM的引脚D连接电阻R1的一端；电阻R1的另一端连接放大器OP1的反向输入端，放大器OP1的输出端连接电阻R2的另一端，电阻R2的一端连接放大器OP1的反向输入端，电阻R2的另一端连接电阻R5的一端；电阻R3的一端连接放大器OP3的输出端，电阻R3的另一端连接放大器OP1的同相输入端，电阻R4的一端连接放大器OP1的同相输入端，电阻R4的另一端连接接地端；电阻R5的另一端连接放大器OP2的反向输入端，放大器OP2的输出端连接电阻R11另一端，电阻R11一端连接电容C1的另一端，电容C1的一端连接放大器OP2的反向输入端；放大器OP2的输出端连接MOSFET开关的漏极，MOSFET开关的源极连接放大器OP2的反向输入端，MOSFET开关的栅极连接非门NOTGATE的输出端，非门NOTGATE的输入端连接单刀双掷开关TM的引脚D；电阻R6的一端连接放大器OP2的同相输入端，电阻R6的另一端连接接地端；放大器OP2的输出端连接GaN模块的栅极，GaN模块的源极连接接地端；放大器OP2的输出端连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端连接放大器OP3的同相输入端，电阻R9的一端连接放大器OP3的同相输入端，电阻R9的另一端连接接地端；电阻R7的一端连接放大器OP3的反相输入端，电阻R7的另一端连接接地端；电阻R10的一端连接放大器OP3的反相输入端，电阻R10的另一端连接放大器OP3的输出端。

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