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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT及制备方法，器件包括：衬底层；缓冲层位于衬底层的上表面；沟道层位于缓冲层的上表面；势垒层位于沟道层的上表面；隔离层由势垒层的上表面延伸至缓冲层的下表面，将势垒层的上表面分为二极管区和HEMT区；第一P‑GaN层位于二极管区；P+GaN层位于第一P‑GaN层的上表面。通过将GaN二极管温度传感器集成在HEMT内部，避免了分开制备再集成过程中的不稳定因素对系统性能的影响；减小了整体器件尺寸，提高了集成度；并且HEMT工作中产生的温度变化通过缓冲层、沟道层和势垒层传导到集成的GaN二极管上，提高了温度传感器的温度采集灵敏度，优化了温度传感器的性能。
主权项：1.一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT，其特征在于，包括：衬底层；缓冲层，位于所述衬底层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；势垒层，位于所述沟道层的上表面；隔离层，由所述势垒层的上表面延伸至所述缓冲层的下表面，将所述势垒层的上表面分为二极管区和HEMT区；第一P-GaN层，位于所述二极管区；P+GaN层，位于所述第一P-GaN层的上表面；空穴在所述P+GaN层与所述第一P-GaN层之间进行垂直输运，在所述第一P-GaN层内部水平输运；肖特基接触阴极，位于所述第一P-GaN层的上表面，和所述P+GaN层之间存在间隔；欧姆接触阳极，位于所述P+GaN层的上表面；第二P-GaN层，位于所述HEMT区；源极，位于所述HEMT区，且位于所述第二P-GaN层的一侧，和所述第二P-GaN层之间存在间隔；漏极，位于所述HEMT区，且位于所述第二P-GaN层的另一侧，和所述第二P-GaN层之间存在间隔；栅极，位于所述第二P-GaN层的上表面；钝化层，覆盖所述势垒层的表面、所述第一P-GaN层的表面、所述隔离层的表面和所述P+GaN层的表面。
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权利要求：
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