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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明提供了一种新型肖特基二极管及其制作方法。本发明的新型肖特基二极管的制作方法，包括如下步骤：S1：在衬底的外延层上形成肖特基金属区域图形；S2：光刻后制作肖特基金属，在肖特基金属区域图形形成T型结构；S3：制作阳极电极，对外延层进行电隔离腐蚀；S4：制作空气桥金属形成空气桥结构，制得新型肖特基二极管。本发明通过消除边缘电场聚积效应和减少由肖特基结边缘势垒降低带来的泄漏电流来改善肖特基二极管的特性。
主权项：1.一种新型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在衬底的外延层上形成肖特基金属区域图形；S2：光刻后制作肖特基金属，在肖特基金属区域图形形成T型结构；S3：制作阳极电极，对外延层进行电隔离腐蚀；S4：制作空气桥金属形成空气桥结构，制得新型肖特基二极管。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种新型肖特基二极管及其制作方法
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