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申请/专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司

摘要：本发明涉及一种整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件，它包括N‑型硅衬底、栅极氧化层、屏蔽栅多晶硅、栅极导电多晶硅、P‑型体区、N+型源区、第一正面金属、掩蔽层、势垒合金、P‑型柱、第二正面金属与背面金属。本发明将高功效沟槽MOS与肖特基二极管集成并联在一个元胞里，缩减电路的器件个数，同时也集成双器件的功能，有效保证开关的恢复效率，减少了并联体内寄生二极管的导通损耗，也整体降低器件的应用成本。

主权项：1.一种整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件的制造工艺，其特征是该工艺包括以下步骤：S1、提供N-型硅衬底（1）；S2、对N-型硅衬底（1）的正面进行氧化，形成SiO2掩蔽层（8）；S3、在SiO2掩蔽层（8）上整体式沉积光刻胶，对沟槽MOS功率器件一侧的光刻胶进行光刻；S4、对沟槽MOS功率器件一侧的SiO2掩蔽层（8）进行刻蚀后将光刻胶去除；S5、对沟槽MOS功率器件一侧的N-型硅衬底（1）进行沟槽刻蚀；S6、在肖特基二极管一侧的SiO2掩蔽层（8）上沉积光刻胶，对光刻胶进行光刻；S7、对肖特基二极管一侧的SiO2掩蔽层（8）进行刻蚀后将光刻胶去除；S8、在沟槽内进行第一次栅极氧化层（2）及多晶硅的淀积与回刻；S9、整体式沉积光刻胶，对沟槽位置的光刻胶进行光刻；S10、对栅极氧化层（2）及多晶硅进行刻蚀后将光刻胶去除，形成屏蔽栅多晶硅（3）；S11、在沟槽内进行第二次栅极氧化层及多晶硅的淀积与回刻，形成栅极导电多晶硅（4）；S12、先进行整体式光刻胶沉积，然后对光刻胶进行光刻，最后进行P-型导电离子注入；S13、整体式去除光刻胶后进行P-区域退火，形成P-型体区（5）与P-型柱（10）；S14、整体式淀积SiO2势垒层；S15、在二氧化硅层上整体式沉积光刻胶，对肖特基二极管一侧的光刻胶进行光刻；S16、先对肖特基二极管一侧的二氧化硅层进行刻蚀，然后整体式去除光刻胶，最后进行整体式Ti金属势垒层淀积；S17、对肖特基二极管一侧的部分Ti势垒层进行炉管高温过程，形成Ti-Si势垒合金（9）；S18、对Ti金属势垒层进行整体式刻蚀；S19、整体式光刻胶沉积，对沟槽MOS功率器件一侧的光刻胶进行光刻；S20、对沟槽MOS功率器件一侧的SiO2势垒层进行刻蚀；S21、在沟槽MOS功率器件一侧进行N+导电离子注入；S22、整体式去除光刻胶；S23、对N+区域进行退火，形成N+型源区（6）；S24、整体式光刻胶沉积，对开孔位置的光刻胶进行光刻；S25、进行孔刻蚀；S26、整体式去除光刻胶；S27、整体式淀积正面金属层；S28、先进行整体式光刻胶沉积，然后对光刻胶进行光刻，留下位于沟槽MOS功率器件一侧的部分光刻胶以及肖特基二极管一侧的部分光刻胶；S29、先对正面金属层进行刻蚀，形成第一正面金属（7）与第二正面金属（11），然后整体式去除光刻胶，最后对N-型外延材料进行背面减薄；S30、整体式背面金属层淀积，形成背面金属（12），从而得到整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件成品。

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