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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

摘要：一种功率半导体器件（1），其包括：半导体本体（10），其具有耦合到第一负载端子结构（11）的正面（10‑1）和耦合到第二负载端子结构（12）的背面（10‑2）。该半导体本体（10）包括：有源区（106）；具有第一导电类型（100）的漂移区（100）；以及芯片边缘（109）。该功率半导体器件（1）进一步包括边缘终止结构（108），该边缘终止结构（108）至少部分包括在半导体本体（10）中，并且包括：具有与第一导电类型互补的第二导电类型的至少一个半导体边缘终止区（107）；以及屏蔽层（15），其包括半导体材料并通过第一绝缘层（161）与至少一个半导体边缘终止区（107）绝缘。

主权项：1.一种功率半导体器件1，其包括：-半导体本体10，其具有耦合到第一负载端子结构11的正面10-1和耦合到第二负载端子结构12的背面10-2，所述半导体本体10包括：-有源区106，其被配置用于在所述第一负载端子结构11与所述第二负载端子结构12之间传导负载电流；-具有第一导电类型100的漂移区100，其被配置用于传导所述负载电流；以及-芯片边缘109，其横向终止所述半导体本体10；以及-横向布置在所述芯片边缘109与所述有源区106之间的边缘终止结构18，所述边缘终止结构18被至少部分地包括在所述半导体本体10中并且包括：-具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的至少一个半导体边缘终止区107，所述至少一个半导体边缘终止区107被布置在所述半导体本体10内部的正面10-1处；-屏蔽层15，其包括半导体材料并且通过第一绝缘层161与所述至少一个半导体边缘终止区107绝缘，其中所述屏蔽层15包括具有所述第一导电类型的至少一个第一屏蔽区151和具有所述第二导电类型的至少一个第二屏蔽区152，其中所述至少一个第一屏蔽区151与所述第二屏蔽区152之间的横向过渡形成第一pn结153，其中所述至少一个第二屏蔽区152和所述至少一个半导体边缘终止区107沿第一横向方向表现出横向重叠X1，并且其中所述屏蔽层15与所述第一负载端子结构11和所述第二负载端子结构12中的每一个电连接使得当所述功率半导体器件1处于阻断状态时，所述第一pn结153形成布置在所述第一负载端子结构11和所述第二负载端子结构12之间的电路径中的阻断二极管，从而阻断其间的至少标称阻断电压。

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