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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明的实施例提供了一种磁阻随机存取存储器单元及其写入方法。实例性磁阻随机存取存储器MRAM单元被配置为存储多于一位。MRAM单元包括并联连接的第一磁性隧道结MTJ和第二MTJ。第一MTJ具有第一直径，第二MTJ具有第二直径，并且第二直径小于第一直径。MRAM单元还包括连接至第一MTJ和第二MTJ的晶体管、连接至第一MTJ和第二MTJ的位线、连接至晶体管的字线、以及连接至该晶体管的源极线。向MRAM单元写入的方法可以包括根据MRAM单元的初始存储状态和期望存储状态向MRAM单元提供一个或多个写入电压例如，具有不同电平。本发明的实施例还提供了一种非易失性存储器结构。
主权项：1.一种被配置为存储多于一位的磁阻随机存取存储器MRAM单元，所述磁阻随机存取存储器单元包括：第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结并联连接，其中，所述第一磁性隧道结具有第一直径，所述第二磁性隧道结具有第二直径，并且所述第二直径小于所述第一直径；晶体管，连接至所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结；位线，连接至所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结；以及字线和源极线，连接至所述晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 非易失性存储器结构、磁阻随机存取存储器单元及其写入方法
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