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申请/专利权人：株式会社昭和真空;学校法人东海大学
摘要：本发明提供能够容易地变更从离子源照射的离子束的离子电流密度分布、小型且廉价的离子源、离子电流密度分布变更方法以及基材处理装置。离子源6具有：放电室61，其具有释放离子的开口，并由绝缘体形成；磁铁，其使放电室61内部产生磁场；阳极65，其配置在放电室61的底部；以及磁力变更部，其变更磁铁的磁力的强度，在产生了磁场和电场的放电室61中，从与放电室61的开口相邻配置的中和器7插入电子，从放电室61的开口释放离子，根据处理对象基材变更从放电室61释放的离子的电流密度分布。
主权项：1.一种离子源，具有：放电室，其由绝缘体构成，具有供原料气体插入的插入口和释放离子的开口；磁铁，其在所述放电室内部产生磁场；阳极，其配置于所述放电室，用于产生电场；中和器，其向产生了所述磁场和所述电场的所述放电室的所述开口插入电子；以及电流密度分布变更单元，其使从所述放电室释放的离子的电流密度分布的设定变更，所述离子通过从所述中和器插入的电子与所述原料气体碰撞而生成，所述电流密度分布变更单元根据由所释放的所述离子处理的基材来变更电流密度分布的设定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社昭和真空 学校法人东海大学 离子源、离子电流密度分布变更方法以及基材处理装置
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