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摘要：一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：1）给定器件的工艺参数；2）提取电容_电压关系曲线相关参数：通过逆导电容_漏电压曲线、输出电容_漏电压曲线、输入电容_漏电压曲线、栅极电容_栅电压曲线提取相关参数；3）提取电流_电压关系曲线相关参数：对关键部分漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取和用所有的漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取。本发明的GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法，能够降低参数提取次数，提高GaNHEMT的ASM模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。
主权项：1.一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：1）给定器件的工艺参数；2）提取电容_电压关系曲线相关参数：通过逆导电容_漏电压曲线、输出电容_漏电压曲线、输入电容_漏电压曲线、栅极电容_栅电压曲线提取相关参数；3）提取电流_电压关系曲线相关参数：对关键部分漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取和用所有的漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取，其中，在电流_电压曲线相关参数提取过程中，提取对漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线均有影响的参数；在电流_电压曲线相关参数提取过程中，首先选取偏置为vg=vth2、vth和vgg的漏极电流_漏电压曲线，偏置为vd=vdlin的漏极电流_栅电压曲线和vthgm_vd曲线进行参数提取，确定参数优化区间，再将所有曲线用来进行直流参数提取。
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百度查询： 北京华大九天科技股份有限公司 一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法
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