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申请/专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种平面栅型功率金属‑氧化物场效应晶体管以及功率器件，该晶体管包括：衬底，衬底包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面；漂移区，漂移区位于衬底的第一表面的一侧，漂移区远离衬底的一侧设置有体区和有源区；有源区包括多个子有源区，多个子有源区在垂直于衬底指向漂移区的方向间隔排列，体区包括多个子体区，多个子体区在垂直于衬底指向漂移区的方向间隔排列，多个子体区和多个子有源区一一对应设置；平面栅结构，平面栅结构位于漂移区远离衬底的一侧；源极，源极覆盖部分子有源区；漏极，漏极位于衬底的第二表面。本发明实施例提供的技术方案减少了平面栅型功率金属‑氧化物场效应晶体管的导通电阻。
主权项：1.一种平面栅型功率金属-氧化物场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面；漂移区，所述漂移区位于所述衬底的第一表面的一侧，所述漂移区远离所述衬底的一侧设置有体区和有源区；所述有源区包括多个子有源区，所述多个子有源区在垂直于所述衬底指向所述漂移区的方向间隔排列，所述体区包括多个子体区，所述多个子体区在垂直于所述衬底指向所述漂移区的方向间隔排列，所述多个子体区和所述多个子有源区一一对应设置；平面栅结构，所述平面栅结构位于所述漂移区远离所述衬底的一侧；源极，所述源极覆盖部分所述子有源区；漏极，所述漏极位于所述衬底的第二表面；和所述源极接触的所述子有源区均包括第一导电类型有源区和第二导电类型有源区，所述第一导电类型有源区和所述体区的导电类型相反，所述第二导电类型有源区与所述体区的导电类型相同；未和所述源极接触的所述子有源区包括第一导电类型有源区；或者，所述多个子有源区均包括第一导电类型有源区，所述第一导电类型有源区和所述体区的导电类型相反。
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权利要求：
百度查询： 上海陆芯电子科技有限公司 平面栅型功率金属-氧化物场效应晶体管以及功率器件
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