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申请/专利权人：山东科技大学
摘要：本发明提供了一种双阻变层局部有源忆阻器及其制备方法，涉及微电子材料与半导体器件，忆阻器包括：由下而上依次设置的衬底、底电极、忆阻功能层和顶电极；忆阻功能层采用多层纳米薄膜制成，忆阻功能层包括第一功能层和第二功能层，第二功能层位于第一功能层之上，第一功能层采用Zr掺杂的ZrO2薄膜制成，第二功能层的采用VO2薄膜制成。本发明的技术方案克服现有技术中缺乏实物局部有源忆阻器的问题。
主权项：1.一种双阻变层局部有源忆阻器，其特征在于，包括：由下而上依次设置的衬底、底电极、忆阻功能层和顶电极；所述忆阻功能层采用多层纳米薄膜制成，所述忆阻功能层包括第一功能层和第二功能层，所述第二功能层位于所述第一功能层之上，所述第一功能层采用Zr掺杂的ZrO2薄膜制成，第二功能层的采用VO2薄膜制成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东科技大学 一种双阻变层局部有源忆阻器及其制备方法
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