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测试结构及其形成方法、工作方法专利

发布时间:2024-08-14 21:24:42 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 测试结构及其形成方法、工作方法

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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日:2023-02-07

公开(公告)日:2024-08-09

公开(公告)号:CN118471952A

专利技术分类:.加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案[2006.01]

专利摘要:一种测试结构及其形成方法、工作方法,测试结构包括:衬底,所述衬底包括芯片区,所述芯片区包括有效区和非有效区,所述有效区包括第一区和环绕所述第一区的第二区;位于第二区上的保护环结构,所述保护环结构环绕所述第一区,所述保护环结构包括第一部分和第二部分,所述第二部分位于非有效区和第一区之间;位于第二区上的连接结构,所述连接结构与所述第一部分平行,所述保护环结构位于连接结构和第一区之间;位于非有效区上的测试板结构,所述测试板结构与相邻的连接结构电连接。所述测试结构测试简单准确,效率提升。

专利权项:1.一种测试结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括芯片区,所述芯片区包括有效区和非有效区,所述有效区包括第一区和环绕所述第一区的第二区;在第二区形成保护环结构,所述保护环结构环绕所述第一区,所述保护环结构包括第一部分和第二部分,所述第二部分位于非有效区和第一区之间;在第二区形成连接结构,所述连接结构与所述第一部分平行,所述保护环结构位于连接结构和第一区之间;在非有效区上形成测试板结构,所述测试板结构与相邻的连接结构电连接。

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试结构及其形成方法、工作方法

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