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申请/专利权人：成都顺康三森电子有限责任公司

摘要：一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物，包括NTC元件组成物体、抗高浪涌电流护层，所述抗高浪涌电流护层溅射呈薄膜将NTC元件组成物体包裹。本发明采用多晶硅、金属化阴极、金属化阳极将NTC元件组成物表面形成抗高浪涌电流层，使高浪涌电流经过金属化阴极和金属化阳极导电，导出，进而对NTC元件组成物形成保护层，达到防止高浪涌电流对NTC元件组成物造成损伤的情况发生。

主权项：1.一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物，其特征在于，包括NTC元件组成物体1、抗高浪涌电流护层2，所述抗高浪涌电流护层2溅射呈薄膜将NTC元件组成物体1包裹；包括以下步骤：1秤料：将Mn3O4、Nio、Co3o4、Sio2、B2o3、Fe2o3、Zno3、尖晶石、金属氧化物粉末、乙二醇、丁基卡必醇、无水乙醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯按重量比称取，存放备用；2初步粉碎：a.一次粉碎：将Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石放置进行粉碎机内，粉碎处理20～23min；b.取料：取蒸馏水800～900份、消泡剂1～1.5份、分散剂5～6.5份；3混合：a.将步骤2内步骤a.b.中的Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石粉末混合物和蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进搅拌器内，搅拌时间为7～9min；b.将步骤3内步骤a的搅拌混合物放置进模具内，并将盛有混合物的模具放置进冻干机内，冻干时间为2～3h，后脱模；c.将步骤3内步骤b冻干的混合物放置进微粉碎机内粉碎处理，粉碎时间为5～9min；4煅烧：a.将步骤3内步骤c内粉碎后的混合物放置进干燥机内，干燥时间为22～24h，干燥温度为150～200℃；b.将步骤4内步骤a内干燥后的混合物放置进煅烧炉内，煅烧时间为5～7h，煅烧温度为850～900℃，后冷却，备用；5微粉碎：a.将步骤1内Sio2、B2o3、无水乙醇、丁基卡必醇放置进器皿内；b.将步骤2内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进步骤5内步骤a的器皿内；c.将步骤4内步骤b的混合物放置进步骤5内步骤b的器皿内，并搅拌，搅拌时间为8～10min；6喷雾造粒：a.将步骤5内步骤c中的混合物料浆雾化处理，并雾粒干燥成球，将颗粒粉料卸出，喷雾压强为0.1～0.3MPa，压差为0.2～0.5MPa，喷雾进口温度为180～190℃，出口温度为80～90℃，雾化转速为20～30rmin；b.将步骤6内步骤a的颗粒进行筛选，并筛目为80，备用；c.将步骤6内步骤b的颗粒放置模具内，加压，压制成型；7制备电极浆料；a.将Fe2o3、Zno3、金属氧化物粉末、乙二醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯放置进器皿内，并加入步骤2内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂进行搅拌处理，搅拌时间为30～40min；8真空搅拌；a.将步骤7内步骤a的搅拌物放置进真空搅拌器内，真空度为-0.09MPa，进行低速分散搅拌30～35min，转速为100～150rmin，再进行高速分散搅拌35～40min，转速为700～750rmin，后取出，制成电极浆料，备用；b.将步骤8内步骤a内的电极浆料溅射在步骤6内步骤c压制成型的NTC元件的外部，并干燥10～15h，得到NTC元件组成物；9抗高浪涌电流层制备；a.取多晶硅、金属化阴极、金属化阳极；b.将步骤9内步骤a的多晶硅制成薄膜将步骤8内步骤b的NTC元件组成物表面覆盖；c.将步骤9内金属化阴极放置在多晶硅薄膜内侧一端，再将金属化阳极放置在多晶硅薄膜内侧另一端，形成抗高浪涌电流层。

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