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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；多个导电层，设置于该基底上；一填充层，设置于该多个导电层之间；一气隙，设置于该填充层中；以及一介电层，设置于该多个导电层及该填充层上。该填充层包括碳氮化硼。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；多个导电层，设置于该基底上；一填充层，设置于该多个导电层之间；一气隙，设置于该填充层中；以及一介电层，设置于该多个导电层及该填充层上；其中该填充层包括碳氮化硼。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 半导体元件
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