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申请/专利权人:散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
摘要:本实用新型公开了一种BNCTECR离子源准直结构,ECR离子源包括功率馈入系统脊波导、等离子体产生区域即等离子体放电室内部、等离子体引出部分即等离子体法兰、放电室连接大法兰、PEEK高压绝缘件、第一真空腔法兰和引出系统,本实用新型通过设置有过渡法兰、引出系统准直件、地电极、抑制电极,使用时通过引出系统准直件实现地电极引出孔与抑制电极引出孔两者的同轴定位,便于高精度快速装配;通过设置有脊波导法兰、等离子体放电室、等离子体法兰,使用时通过销及脊波导法兰上的凹槽与通过等离子体法兰上的凹槽实现快速安装。
主权项:1.一种BNCTECR离子源准直结构,包括脊波导法兰1、等离子体放电室2、等离子体法兰4、放电室连接大法兰5、PEEK高压绝缘件6、第一真空腔法兰8、引出系统9,其特征在于,所述引出系统9包括过渡法兰7、地电极11及抑制电极12,所述过渡法兰7中间安装有引出系统准直件10,所述引出系统准直件10采用一体成型的阶梯设计,且端部包括配合轴一13与配合轴二14,所述引出系统准直件10外部侧壁通过嵌入式与地电极11与抑制电极12相连接。
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