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申请/专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
摘要：本发明公开了一种电容法测试超低阻红磷硅片电阻率的方法。该包括以下步骤：1使用四探针设备标定电阻率校准样片，需要标定两片电阻率校准样片；2将标定的电阻率校准样片的电阻率值×2，输入到电容法测试电阻率设备的校准界面，根据设备提示完成电阻率校准工作；3根据待测片的厚度，完成电容法测试电阻率设备的厚度校准；4根据设备的标准化操作，完成正常测试；5在测试完成后，将电阻率值2作为最终测试数据。采用本发明的方法，能够解决小于0.001Ω·cm的重掺红磷硅片的测试，可以通过电容法测试获得电阻率具体值，设备测试重复性可达到1％，准确度对标四探针法同样可达到小于1％。
主权项：1.一种电容法测试超低阻红磷硅片电阻率的方法，其特征在于，包括以下步骤：1使用四探针设备标定电阻率校准样片，需要标定两片电阻率校准样片；2将标定的电阻率校准样片的电阻率值×2，输入到电容法测试电阻率设备的校准界面，根据设备提示完成电阻率校准工作；3根据待测片的厚度，完成电容法测试电阻率设备的厚度校准；4根据设备的标准化操作，完成正常测试；5在测试完成后，将电阻率值2作为最终测试数据。
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