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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明属于半导体信息存储和人工突触器件技术领域，更具体地，涉及一种自成型的拓扑相变纳米存储器件结构、其制备和应用。通过在SXOX＝Fe,Co薄膜上生长活泼金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒易于被氧化的性质来吸收SXO中部分O离子，此时金属纳米颗粒下方的SXO薄膜处于缺氧状态，形成阻值较高的BM‑SXO相阻挡层，此时PV‑SXO导电丝的尺寸由金属纳米颗粒的尺度决定，且PV‑SXO导电丝的方向被一定程度限定为垂直于薄膜面内方向，以实现氧化物基存储器件的一致性与可靠性。
主权项：1.一种自成型的拓扑相变纳米存储器件结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1在衬底上制备薄膜下电极层；2在所述薄膜下电极层上制备SrXOm薄膜功能层，其中X为Fe或Co,2.85≤m＜3；3将采用溶剂分散的聚苯乙烯纳米微球混合液转移至所述薄膜功能层表面，静置使所述溶剂挥发，得到铺设有单层聚苯乙烯纳米微球的薄膜功能层；4在所述铺设有单层聚苯乙烯纳米微球的薄膜功能层上沉积活泼金属层；然后将所得的基片进行清洗，去除基片表面的聚苯乙烯纳米微球以及多余的金属，得到表面制备有图案化纳米金属颗粒的基片；5在所述制备有图案化纳米金属颗粒的基片上沉积上电极层；6在所述上电极层上施加正偏压使得所述薄膜功能层内部产生拓扑相变形成BM-SXO阻挡层。
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百度查询： 华中科技大学 一种自成型的拓扑相变纳米存储器件结构、其制备和应用
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