买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司

摘要：本发明提供了一种电流积分成像器件的制备方法，解决目前方法存在无法在短时间内通过简单工艺内生长出兼顾质量和性能的CdZnTe薄膜，进而影响其在X射线成像领域发展的不足之处。该方法通过调整生长工艺以及各个步骤间的相互配合，能够制备漏电流小、光电流大、对X射线有较好光响应的CdZnTe外延单晶薄膜，并且在器件结构上，通过实现精密点胶技术，在薄膜晶体管上实现微小胶量的精密点胶，并将薄膜进行对位，贴装至薄膜晶体管上，使GaAs衬底与银胶电极紧密结合；此时，CdZnTe外延膜作为X射线入射窗口，能够避免GaAs衬底作为窗口入射时对X射线的吸收从而导致CdZnTe对X射线吸收不完全，降低图像清晰度。

主权项：1.一种电流积分成像器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1CdZnTe生长源预处理2CdZnTe外延膜生长2.1将GaAs衬底和经过步骤1预处理后的CdZnTe生长源分别置于近空间升华炉中的上加热台和下加热台上；2.2打开通气阀和分子泵，将近空间升华炉抽真空至10Pa以下，分别调节上加热台和下加热台的温控参数，并打开水冷，将GaAs衬底温度保持在460-500℃，将CdZnTe生长源温度保持在700-740℃，保温20-40min，进行生长程序；2.3待生长程序运行完成后且近空间升华炉内冷却至室温，依次关闭通气阀、分子泵及水冷，取出生长在GaAs衬底上的CdZnTe外延膜；3CdZnTe外延膜切片：根据薄膜晶体管的尺寸，将步骤2生长的CdZnTe外延膜进行切片；4CdZnTe外延膜倒装：在步骤3切片后的CdZnTe外延膜上蒸镀金属电极后，将GaAs衬底与薄膜晶体管的银胶电极进行对位、贴装；其中，在薄膜晶体管上制备银胶电极的具体步骤为：S1.选择与薄膜晶体管像素格大小适配的点胶针头安装在点胶机上，并将银胶灌入注射器针筒内随注射器固定在点胶机上；S2.根据薄膜晶体管像素格大小设置点胶工艺，防止点胶过程中出现银胶外溢至薄膜晶体管电路上的现象；S3.进行点胶，在薄膜晶体管上制备得到银胶电极；5电流积分成像器件制备。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北工业大学 深圳翱翔锐影科技有限公司 一种电流积分成像器件的制备方法