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申请/专利权人：斯坦福国际研究院
摘要：本发明涉及无过量噪声的光电二极管，并提供了可以经由具有超晶格倍增区来使光电二极管诸如线性模式雪崩光电二极管不含过量噪声，该超晶格倍增区仅允许一种电流载流子类型诸如电子或空穴在被偏置时其中层被晶格匹配积聚足够的动能以进行碰撞电离。光电二极管可以通过以下来构造：i超晶格倍增区中的第一半导体合金和第二半导体合金的晶格匹配对，ii吸收体区，以及iii半导体衬底。可以通过这些构造层制造具有多个光电二极管的检测器，以具有在从1.7pm至4.9pm的任何地方变化的截止波长以及处于一定水平的由暗电流产生的噪声，使得该光电二极管可以准确地感测具有期望最小波长截止的电磁辐射信号。
主权项：1.一种用于检测光子的装置，包括：线性模式雪崩光电二极管，所述线性模式雪崩光电二极管通过以下来构造：超晶格倍增区中的第一半导体合金和第二半导体合金的晶格匹配对，当所述光电二极管被电偏置以传导电流时，所述超晶格倍增区仅允许选自i电子或ii空穴的一种电流载流子类型积聚足够的动能以进行碰撞电离，其中所述第一半导体合金和所述第二半导体合金的所述晶格匹配对具有完全处于价带或导带中的其带偏移，并且其中具有匹配的超晶格结构的所述线性模式雪崩光电二极管使得放大被配置为仅在i所述导带或ii所述价带中发生以生成增益，同时从碰撞电离生成足够低的噪声，以能够检测单个光子而不会造成具有死区时间的损失，从而允许在检测到所述单个光子之后基本上立即发生对后续光子的检测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 斯坦福国际研究院 无过量噪声的光电二极管
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