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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式A表示的化合物的一种或二种以上、下述式B表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；式A中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数；[式B中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式B‑1～B‑3中的至少一种基；式B‑1～B‑3中，*表示与邻接的氧原子的键结部位]。
主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有下述式A表示的化合物的一种或二种以上、下述式B表示的聚合物的一种或二种以上、以及溶剂， 式A中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，但Y表示从二羟基苯去除1个氢原子后的基的情况除外，n表示1～4的整数；式B中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式B-1～B-3中的至少一种基； 式B-1～B-3中，*表示与邻接的氧原子的键结部位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物
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