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封装结构及其形成方法 

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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

摘要:形成封装结构的方法包括在载体上方形成再分布线,再分布线包括通孔和位于通孔上方并且连接至通孔的金属迹线。再分布线的形成包括沉积第一金属层,在第一金属层上方沉积阻挡层,以及在阻挡层上方沉积第二金属层。该方法还包括将再分布线从载体脱粘,以及将封装组件接合至再分布线,其中金属凸块将封装组件接合至通孔。本公开的实施例还涉及封装结构。

主权项:1.一种形成封装结构的方法,包括:在载体上方形成再分布线,其中,形成所述再分布线包括形成通孔和金属迹线,所述金属迹线位于所述通孔上方并且连接至所述通孔,并且其中,形成所述再分布线包括:沉积第一金属层;在所述第一金属层上方沉积阻挡层;和在所述阻挡层上方沉积第二金属层;将所述再分布线从所述载体脱粘;以及将封装组件接合至所述再分布线,其中,金属凸块将所述封装组件接合至所述通孔。

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