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申请/专利权人：重庆理工大学
摘要：本发明公开了一种MXenen‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，获取Ti3C2Tx胶体溶液，以及掺有Sb的n‑Ge衬底，清除n‑Ge衬底表面杂质，然后将Ti3C2Tx胶体溶液覆在n‑Ge衬底上，在室温下干燥至恒重后形成Ti3C2Tx膜层使得Ti3C2Tx膜层与n‑Ge衬底形成肖特基异质结。本发明还公开了一种通过上述方法制得而成的MXenen‑Ge高速宽带自供电光电探测器，该探测器结构简单，工作稳定，检测效果好，响应时间极快，精度和可靠性高，还具有体积小、重量轻的优点，另外传感器制作容易，成本低廉。
主权项：1.一种MXene-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：包括：获取Ti3C2Tx胶体溶液，以及掺有Sb的n-Ge衬底，清除n-Ge衬底表面杂质，然后将Ti3C2Tx胶体溶液覆在n-Ge衬底上，在室温下干燥至恒重后形成Ti3C2Tx膜层使得Ti3C2Tx膜层与n-Ge衬底形成肖特基异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆理工大学 MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法及探测器
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