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申请/专利权人：江苏易矽科技有限公司
摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，具体说是一种BOOST电路用低杂感及内绝缘IGBT单管结构。它的特点是包括基板和引脚，基板自上而上依次为铜层和陶瓷层。所述陶瓷层的上表面有电路布局层，电路布局层含有IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片与FRD芯片适配连接，所述引脚与IGBT芯片和FRD芯片适配连接。该结构成本低，在提升器件性能的同时，也可降低器件失效风险。
主权项：1.一种BOOST电路用低杂感及内绝缘IGBT单管结构，其特征在于，包括基板和引脚，基板自上而上依次为铜层和陶瓷层；所述陶瓷层的上表面有电路布局层，电路布局层含有IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片与FRD芯片适配连接，所述引脚与IGBT芯片和FRD芯片适配连接。
全文数据：
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百度查询： 江苏易矽科技有限公司 一种BOOST电路用低杂感及内绝缘IGBT单管结构
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