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申请/专利权人：上海朗矽科技有限公司
摘要：本公开提供了一种OTP器件结构及其制备方法、OTP存储器及其操作方法。一种OTP器件结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的编程区域和读取区域，所述编程区域和所述读取区域并列；所述编程区域包括第一栅极；所述读取区域为MOS管结构，包括第二栅极；在所述编程区域中所述第一栅极与所述第二栅极之间通过介质层隔离。本公开的积极进步效果在于：通过将OTP器件结构的编程区域的第一栅极与读取区域中MOS管结构第二栅极之间的介质层取代传统的反熔丝结构，能够实现在编程具有较高的可靠性，而在读出电流时，具有较大的读出电流。
主权项：1.一种OTP器件结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的编程区域和读取区域，所述编程区域和所述读取区域并列；所述编程区域包括第一栅极；所述读取区域为MOS管结构，包括第二栅极；在所述编程区域中所述第一栅极与所述第二栅极之间通过介质层隔离。
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百度查询： 上海朗矽科技有限公司 OTP器件结构及其制备方法、OTP存储器及其操作方法
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