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申请/专利权人:超威半导体公司
摘要:细粒度动态随机存取存储器DRAM包括第一存储体、第二存储体和双模式IO电路。该第一存储体包括被划分为多个晶粒的存储器阵列,每个晶粒包括行缓冲器和输入输出IO电路。该双模式IO电路耦接到该第一存储体中的每个晶粒的IO电路,并且以第一模式和第二模式操作,在该第一模式中,具有第一数据宽度的命令被路由到每个晶粒并且在每个晶粒处单独地实现,在该第二模式中,具有不同于该第一数据宽度的第二数据宽度的命令由该晶粒中的至少两者并行地实现。
主权项:1.一种细粒度动态随机存取存储器DRAM,所述细粒度动态随机存取存储器DRAM包括:第一存储体,所述第一存储体包括被划分为多个晶粒的存储器阵列,每个晶粒包括行缓冲器和输入输出IO电路;第二存储体;和双模式IO电路,所述双模式IO电路耦接到所述第一存储体中的每个晶粒的所述IO电路,所述双模式IO电路以第一模式和第二模式操作,在所述第一模式中,具有第一数据宽度的命令被路由到每个晶粒并且在每个晶粒处单独地实现,在所述第二模式中,具有不同于所述第一数据宽度的第二数据宽度的命令由所述晶粒中的至少两者并行地实现。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 超威半导体公司 用于恢复细粒度DRAM中的常规访问性能的方法和装置
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