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申请/专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和DRAM电路，其中，该方法包括：提供衬底；在衬底的部分表面上形成第一金属层；在衬底的剩余部分表面上以及第一金属层的远离衬底的表面上形成第一绝缘层；利用静电纺丝技术，在第一绝缘层的远离衬底的部分表面上形成IGZO纳米线沟道层；至少在第一绝缘层的远离衬底的部分表面上形成第二金属层和第三金属层。通过本申请，解决了现有技术中制备IGZO薄膜生产成本高且器件性能较差的问题，进而达到了制备IGZO纳米线沟道层的成本较低且器件性能较好的效果。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的部分表面上形成第一金属层；在所述衬底的剩余部分表面上以及所述第一金属层的远离所述衬底的表面上形成第一绝缘层；利用静电纺丝技术，在所述第一绝缘层的远离所述衬底的部分表面上形成IGZO纳米线沟道层；至少在所述第一绝缘层的远离所述衬底的部分表面上形成第二金属层和第三金属层，所述第二金属层位于所述lGZO纳米线沟道层的一侧，且与所述lGZO纳米线沟道层的侧壁接触，所述第三金属层位于所述lGZO纳米线沟道层的另一侧，且与所述IGZO纳米线沟道层的侧壁接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 半导体结构的制备方法、半导体结构和DRAM电路
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