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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明提供了一种磁控溅射纯WC化合物靶材制备纳米晶WC薄膜的方法，具体是在硬质合金基体上采用电弧增强型辉光放电技术预离化氩气以及结合磁控溅射高纯WC靶的组合技术，特别控制多个制备关键参数，达到技术融合，在较高的溅射功率区间，采用直流磁控溅射技术和高功率脉冲磁控溅射技术分别实现WC1‑x、W2C物相的纳米晶WC薄膜的制备。其制备方法可控，可在硬质合金基体表面得到具有高硬度、高附着、低应力的纳米晶WC薄膜，具有良好的应用前景。
主权项：1.一种磁控溅射纯WC化合物靶材制备纳米晶WC薄膜的方法，其特征在于：基于电弧增强型辉光放电预离化氩气以及磁控溅射高纯WC靶的组合技术，包括以下步骤：1基体表面预处理：将待涂层基体表面研磨、抛光、清洗、吹干后，固定在可三维旋转的行星台上，送入腔室；2腔室抽真空加热：将所述腔室抽至真空，进行多阶段抽真空加热，去除腔室和基体表面易挥发的杂质，加热温度设置为550～600℃；3基体表面离子刻蚀：向所述腔室内连续通入高纯氩气，保持腔室内的温度和气压恒定，基体加负偏压，采用电弧增强型辉光放电技术对基体进行离子清洗与刻蚀，去除基体表面的氧化皮和疏松层；4WC薄膜的制备：向所述腔室内连续通入高纯氩气，采用高纯WC化合物靶，保持腔室内红外加热管的温度恒定，基体加负偏压，采用磁控溅射技术对基体进行膜沉积处理，沉积纳米晶WC薄膜；5冷却取样：沉积膜结束后，降温冷却得到基体表面的纳米晶WC薄膜。
全文数据：
权利要求：
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