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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
摘要：本发明涉及具有埋入式掺杂的隔离区域的裸片。实施例涉及一种在裸片的衬底中的连续埋入式掺杂的隔离区域。衬底包括包围该裸片的第一区的隔离环结构。连续埋入式掺杂的隔离区域是净第一导电类型且位于该第一区中。连续埋入式掺杂的隔离区域包括具有至少第一等级的净第一导电类型掺杂剂浓度的第一部分，第一部分位于该第一区的内部区域中且延伸到该隔离环结构的侧壁。第一部分在该第一区的拐角区的位置中不延伸到该隔离环结构的该侧壁。拐角区由该隔离环结构限定。在该拐角区中的该连续埋入式掺杂的隔离区域的第二部分具有低于该第一等级的第二等级的净第一导电类型掺杂剂浓度。裸片包括半导体装置，该半导体装置位于该第一区中且包括位于该连续埋入式掺杂的隔离区域上方的该第一区中的该衬底中的组件。
主权项：1.一种裸片，其特征在于，包括：衬底，其包括：隔离环结构，其包围所述裸片的第一区；净第一导电类型的连续埋入式掺杂的隔离区域，其位于所述第一区中，所述连续埋入式掺杂的隔离区域包括具有至少第一等级的净第一导电类型掺杂剂浓度的第一部分，所述第一部分位于所述第一区的内部区域中且延伸到所述隔离环结构的侧壁，其中所述第一部分在所述第一区的拐角区的位置中不延伸到所述隔离环结构的所述侧壁，所述拐角区由所述隔离环结构限定；其中在所述拐角区中的所述连续埋入式掺杂的隔离区域的第二部分具有低于所述第一等级的第二等级的净第一导电类型掺杂剂浓度；半导体装置，其位于所述第一区中且包括位于所述连续埋入式掺杂的隔离区域上方的所述第一区中的所述衬底中的组件。
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权利要求：
百度查询： 恩智浦美国有限公司 具有埋入式掺杂的隔离区域的裸片
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