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基于片外光源与硅基集成递进式光栅耦合器倾角键合方法 

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申请/专利权人:长春理工大学

摘要:本发明提供一种基于片外光源与硅基集成递进式光栅耦合器倾角键合方法,包括:对样片进行预处理;在样片表面上均勾涂抹一层光刻胶,并对涂胶后的样片进行烘烤;利用曝光技术将预设图形转移到样片表面的光刻胶层;将经过曝光的样片放置在显影液中,溶解多余的光刻胶;通过刻蚀处理将光刻胶层的图形转移到样片的硅层表面;通过等离子体增强化学气相沉积法在样片镀二氧化硅作为覆盖层;根据预设比例制备镓铟合金液态金属,将镓铟合金液态金属装配到具有石墨烯的片外光源的键合焊盘上,控制片外光源形成预设输入光的角度;在片外光源与样片键合时剩余的空间中填充匹配折射率液,得到递进式光栅耦合器。本发明设计的光栅耦合器,结构紧凑,易于集成。

主权项:1.一种基于片外光源与硅基集成递进式光栅耦合器倾角键合方法,其特征在于,包括:步骤1:对样片进行预处理,所述预处理包括刷片、清洗和吹干;步骤2:在所述样片表面上均勾涂抹一层光刻胶,并对涂胶后的样片进行烘烤;步骤3:利用曝光技术将预设图形转移到所述样片表面的光刻胶层;步骤4:将经过曝光的样片放置在显影液中,溶解多余的光刻胶,对显影处理后的样片进行清洗及烘烤处理,去除所述样片上剩余的溶剂;步骤5:通过刻蚀处理将所述光刻胶层的图形转移到所述样片的硅层表面,并去除所述样片表面剩余的刻蚀剂及杂质;步骤6:通过等离子体增强化学气相沉积法在所述样片上镀一层二氧化硅作为覆盖层;步骤7:根据预设比例制备镓铟合金液态金属,将所述镓铟合金液态金属装配到具有石墨烯的片外光源的键合焊盘上,控制所述片外光源形成预设输入光的角度;步骤8:在所述片外光源与所述样片键合时剩余的空间中填充匹配折射率液,得到递进式光栅耦合器。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长春理工大学 基于片外光源与硅基集成递进式光栅耦合器倾角键合方法

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