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一种降TP RC loading方法 

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申请/专利权人:福建华佳彩有限公司

摘要:本发明公开了一种降TPRCloading方法,包括如下步骤:S1:玻璃基板上制作GE层即栅极,在GE层的基础上再制作一层GI层,在GI层的基础上再制作SE层,在SE层上方制作一层ES层;S2:然后ES层上方接着制作SD层,并且通过蚀刻ES层的通孔使SD层和SE层连接形成完整的TFT结构,同时在ES层的上方制作另外一层SD层作为TP走线;S3:在SD层的上方制作一层PV层,PV层上方制作一层OC层,漏极与PIXELITO连接,在PIXELITO上方制作一层CH层,CH层上方制作一层VCOMITO。本发明提供的一种降TPRCloading方法,在GI层和ES层之间增加一道电极膜层,将Scan讯号与TP讯号做遮蔽,使得TP讯号受到Scan讯号的电容耦合效应大幅减小,达到优化触控屏横纹目的。有效的降低Scan讯号对TP讯号的电容耦合。

主权项:1.一种降TPRCloading方法,即降触控屏阻容负载的方法,其特征在于:包括如下步骤:S1:于玻璃基板上制作GE层即栅极,在GE层的基础上再制作一层GI层即第一绝缘层,在GI层的基础上再制作SE层即半导体层,在SE层上方制作一层ES层即第二绝缘层起到保护SE层的作用;S2:然后ES层上方接着制作SD层作为TFT开关的源极和漏极并且通过蚀刻ES层的通孔使SD层和SE层连接形成完整的TFT结构,同时在ES层的上方制作另外一层SD层作为TP走线;S3:在SD层的上方制作一层PV层即第三绝缘层,PV层上方制作一层OC层即第四绝缘层,通过蚀刻OC层和PV层的通孔使漏极与像素电极连接,在像素电极上方制作一层CH层即第五绝缘层,CH层上方制作一层共电极通;所述TP走线与栅极之间的存在耦合现象,通过在GI层上方制作一层ITO层,使得ITO层置于栅极和TP走线之间,避免栅极受到TP走线的影响,从而消除栅极走线耦合TP走线导致的触控屏横纹;所述漏极与像素电极连接,使得SD源极的信号可以在栅极高电压的时候通过SE层传给漏极从而传给像素电极。

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