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申请/专利权人：杭州华芯微科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种高耐压平面型VDMOS的结构，包括漏极电极、第一N型区、JFET区、轻N型掺杂区、P型掺杂区、P‑body区、第二重N型区、栅极电极和源极电极，所述漏漏极电极设置在第一N型区的底端。本实用新型的制作工艺将P‑body区与终端同时光刻注入，在工艺上减少了步骤，在一定程度上，也节约了成本，降低了工艺周期，并且通过在JFET区中设置有两组P型掺杂区和一组轻N型掺杂区，两组P型掺杂区的面积与轻N型掺杂区的面积相同，且两组P型掺杂区分别位于轻N型掺杂区的两侧，使得在JFET区内拥有相同电荷量的P型掺杂区和轻N型掺杂区，两者可相互完全耗尽，得到几乎均匀的电场分布，从而承担高耐压的作用，满足了人们的使用需求。
主权项：1.一种高耐压平面型VDMOS的结构，其特征在于，包括漏极电极1、第一N型区2、JFET区3、轻N型掺杂区4、P型掺杂区5、P-body区6、第二重N型区7、栅极电极8和源极电极9，所述漏极电极1设置在第一N型区2的底端，所述第一N型区2远离漏极电极1的一侧连接有JFET区3，所述JFET区3的顶端两侧均设置有P-body区6，所述P-body区6的内部设置有第二重N型区7，两侧所述P-body区6的顶端设置有栅极电极8，且所述栅极电极8的顶端设置有源极电极9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州华芯微科技有限公司 一种高耐压平面型VDMOS的结构
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