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申请/专利权人：京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要：本公开提供了一种具有高发光面积的发光二极管芯片及制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管芯片，包括：依次叠设的外延层、透明导电层和绝缘层；发光二极管还包括通孔和凹槽，通孔依次贯穿绝缘层、透明导电层，直至外延层的第一半导体层，凹槽位于外延层的外侧边，凹槽依次贯穿绝缘层、透明导电层、外延层的第一半导体层，直至外延层的第二半导体层；通孔内具有第一电极，第一电极的尺寸与通孔的尺寸相匹配，第一电极与第一半导体层电连接，凹槽内具有第二电极，第二电极的尺寸与凹槽的尺寸相匹配，第二电极与第二半导体层电连接。本公开能够提高发光二极管芯片的发光面积。
主权项：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：依次叠设的外延层10、透明导电层20和绝缘层30；所述发光二极管芯片还包括通孔40和凹槽50，所述通孔40依次贯穿所述绝缘层30、所述透明导电层20，直至所述外延层10的第一半导体层110，所述凹槽50位于所述外延层10的外侧边，所述凹槽50依次贯穿所述绝缘层30、所述透明导电层20、所述外延层10的第一半导体层110，直至所述外延层10的第二半导体层120；所述通孔40内具有第一电极60，所述第一电极60的尺寸与所述通孔40的尺寸相匹配，所述第一电极60与所述第一半导体层110电连接，所述凹槽50内具有第二电极70，所述第二电极70的尺寸与所述凹槽50的尺寸相匹配，所述第二电极70与所述第二半导体层120电连接。
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