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申请/专利权人：首尔伟傲世有限公司
摘要：这里公开了一种UV发光二极管。该UV发光二极管包括：第一导电型半导体层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括第一氮化物层和第二氮化物层，其中，第一氮化物层包括Al，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层的Al组成比低的Al组成比；活性层，设置在第一应力调节层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，第一应力调节层包括插入第一氮化物层中的Al增量层，插入Al增量层的第一氮化物层的下表面具有比直接设置在第一氮化物层上的第二氮化物层的下表面的平均拉应力大的平均拉应力。
主权项：1.一种UV发光二极管，所述UV发光二极管包括：第一导电型半导体层，包括接触层和包层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个氮化物层和多个Al增量层；活性层，设置在第一应力调节层上；第二导电型半导体层，设置在活性层上；第一电极，设置在第一导电型半导体层上；以及第二电极，设置在第二导电型半导体层上，其中，所述多个氮化物层包括第一氮化物层、第二氮化物层和第三氮化物层，其中，所述多个Al增量层包括第一Al增量层和第二Al增量层，其中，第一应力调节层的第一氮化物层包括第一Al增量层，所述第一Al增量层具有比没有Al增量层的氮化物层的Al组成比高的Al组成比，其中，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层低的Al组成比，其中，第三氮化物层设置在第二氮化物层上并且包括第二Al增量层，所述第二Al增量层具有比没有Al增量层的氮化物层的Al组成比高的Al组成比，并且其中，第一Al增量层具有比第二Al增量层的Al组成比低的Al组成比，所述第二Al增量层设置为比第一Al增量层靠近活性层。
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