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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。本发明对现代集成芯片中硅上光源集成及光源与波导结构耦合难题的解决，具有重要的参考价值和工业应用价值。
主权项：1.一种波导集成的发光二极管，其特征在于：所述二极管为波导集成发光二极管，单个二极管包括单根单晶硫化镉纳米带、单层硒化钨纳米结构、2个金属电极；所述的硫化镉纳米带通过干法转移的方法转移到单层硒化钨材料上并构成PN结，PN结的两端分别与2个金属电极相连；然后通过金属电极施加正向偏压；发光二极管的光谱中心为745纳米；硒化钨的发光是通过倏逝波耦合的方式耦合进硫化镉纳米带中，并在硫化镉纳米带中波导；单晶硫化镉纳米带的制备方法，包括下列步骤：将硫化镉粉末作为源放入陶瓷舟中，然后将陶瓷舟放入炉中加热，最后将镀有金膜的硅片放置在石英管的下游位置进行沉积；在生长之前，用高纯氩气以45-65sccm的流量冲洗石英管；然后在25-35分钟内将炉温升至780-820℃，并保持恒温80-120分钟；整个生长过程保持在280-320Torr的压力下；最后，将炉膛自然冷却至室温；沉积时，镀有金膜的硅片所在区间的温度为400-500℃；硒化钨纳米材料的制备方法，包括下列步骤：将硒化钨粉末放在炉子的中心，并将一块SiO2Si衬底放在石英管的下游,在生长之前，用高纯氩气以400-450sccm的流量冲洗石英管15-20分钟;然后将氩气的流量控制在50-60sccm，然后在35-40分钟内将炉温升至1100-1150℃，并保持恒温10-15分钟;整个生长过程保持在8-9Torr的压力下；最后，将炉膛自然冷却至室温；沉积时，衬底所在区间的温度为600-700℃。
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权利要求：
百度查询： 湖南大学 一种波导集成的发光二极管
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