龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种非易失闪存器件的制造方法包括以下步骤：制作位于存储区的存储栅堆叠结构和位于外围区的外围栅极结构，相邻的存储栅堆叠结构之间、相邻的存储栅堆叠结构与外围栅极结构之间、相邻的外围栅极结构之间形成空隙；进行源区掺杂离子注入，在存储区的源区位置中形成源掺杂区；向空隙中填充底部抗反射涂层，存储栅堆叠结构的部分控制栅多晶硅伸出底部抗反射涂层的上端；通过光刻工艺在存储区位置处形成刻蚀窗口；通过干法刻蚀工艺各向同性地刻蚀刻蚀窗口位置处的控制栅多晶硅和底部抗反射涂层。可以解决相关技术的大能量的源极自对准离子注入工艺限制控制栅多晶硅减薄厚度的问题。
主权项：1.一种非易失闪存器件的制造方法，其特征在于，所述非易失闪存器件的制造方法包括以下步骤：制作位于所述存储区的存储栅堆叠结构和位于所述外围区的外围栅极结构，相邻的存储栅堆叠结构之间、相邻的存储栅堆叠结构与外围栅极结构之间、相邻的外围栅极结构之间形成空隙；进行源区掺杂离子注入，在所述存储区的源区位置中形成源掺杂区；向所述空隙中填充底部抗反射涂层，所述存储栅堆叠结构的部分控制栅多晶硅伸出所述底部抗反射涂层的上端；通过光刻工艺在所述存储区位置处形成刻蚀窗口；通过干法刻蚀工艺各向同性地刻蚀所述刻蚀窗口位置处的控制栅多晶硅和底部抗反射涂层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 非易失闪存器件的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号