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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及非易失闪存器件的制造方法，该方法包括以下步骤：制作位于存储区的存储栅堆叠结构和位于外围区的外围栅极结构；通过第一光刻胶层在存储区的源区位置处定义源区掺杂窗口，存储栅堆叠结构靠近源区位置的部分从源区掺杂窗口外露；通过源区干法刻蚀去除硅衬底上方氧化层后进行掺杂离子注入，使得存储栅堆叠结构的控制栅多晶硅层顶层缺失形成尖头状；去除第一光刻胶层；向空隙中填充满底部抗反射涂层，底部抗反射涂层超过存储栅堆叠结构顶端和外围栅极结构的顶端；通过第二光刻胶在存储区位置处定义刻蚀窗口；通过干法刻蚀工艺刻蚀窗口位置处的底部抗反射涂层和控制栅多晶硅，去除控制栅多晶硅层的尖头状顶层。
主权项：1.一种非易失闪存器件的制造方法，其特征在于，所述非易失闪存器件的制造方法包括以下步骤：制作位于所述存储区的存储栅堆叠结构和位于所述外围区的外围栅极结构，相邻的存储栅堆叠结构之间、相邻的存储栅堆叠结构与外围栅极结构之间、相邻的外围栅极结构之间形成空隙；通过第一光刻胶层在所述存储区的源区位置处定义源区掺杂窗口，所述存储栅堆叠结构靠近所述源区位置的部分从所述源区掺杂窗口外露；通过源区干法刻蚀去除硅衬底上方氧化层后进行掺杂离子注入，源区干法刻蚀时的等离子体穿过所述源区掺杂窗口冲击从所述源区掺杂窗口中外露的存储栅堆叠结构，使得所述存储栅堆叠结构的控制栅多晶硅层顶层缺失形成尖头状，源区注入杂质穿过所述源区掺杂窗口注入所述源区位置中形成源掺杂区；去除所述第一光刻胶层；向所述空隙中填充满底部抗反射涂层，所述底部抗反射涂层超过所述存储栅堆叠结构顶端和所述外围栅极结构的顶端；在所述底部抗反射涂层上形成第二光刻胶层，通过所述第二光刻胶在所述存储区位置处定义刻蚀窗口；通过干法刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀窗口位置处的底部抗反射涂层和控制栅多晶硅，去除所述控制栅多晶硅层的尖头状顶层，使得剩余所述控制栅多晶硅层的上表面平整。
全文数据：
权利要求：
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