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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明公开了一种光掩模版及提高光掩模版显影均匀性的方法，属于光掩模版加工技术领域；先对匀胶铬版进行曝光，然后对掩模版进行显影与一次漂洗；随后采用铬腐蚀液对一次漂洗后的掩模版进行腐蚀，采用去离子水进行二次漂洗；采用氢氧化钠水溶液对掩模版进行去胶处理；最后使用浓硫酸、过氧化氢及离子水对去胶后的掩模版进行清洗，得到显影均匀的光掩模版。本发明采用手动显影的方式实现关键尺寸为1μm的掩模版的加工，CD均匀性大于98％。本发明提供的掩模版的加工方法可以应用于集成电路光掩模版的加工工，理论简单，易于理解，且过程简便、成本低廉。
主权项：1.一种提高光掩模版显影均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用激光直写光刻机对匀胶铬版进行曝光，得到掩模版；采用去离子水浸没掩模版表面，然后采用显影液进行显影，再采用去离子水进行一次漂洗；采用铬腐蚀液对一次漂洗后的掩模版进行腐蚀，然后采用去离子水进行二次漂洗；采用氢氧化钠水溶液对二次漂洗后的掩模版进行去胶处理；使用浓硫酸、过氧化氢及离子水对去胶后的掩模版进行清洗，得到显影均匀的光掩模版。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种光掩模版及提高光掩模版显影均匀性的方法
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