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申请/专利权人：日升存储公司
摘要：一种存储器结构，包括：半导体衬底上方形成的多晶硅的有源列，每个有源列包括一个或多个垂直NOR串，其中每一个NOR串具有共享局部源极线和局部位线的薄膜存储晶体管，局部位线由分段全局位线的一段连接到半导体衬底中提供的感测放大器。
主权项：1.一种存储器结构，包括：半导体衬底，具有平坦表面并包括其中形成用于存储器电路操作的电路；第一薄膜NOR存储器串、第二薄膜NOR存储器串和第三薄膜NOR存储器串，形成在所述平坦表面上方，每一个薄膜NOR存储器串具有多个薄膜存储器晶体管，所述多个薄膜存储器晶体管i共享公共源极区域和公共漏极区域，所述公共源极区域和所述公共漏极区域中的每一个沿着垂直于所述平坦表面的第一方向纵向延伸，以及ii具有a一个或多个沟道区域，每一个沟道区域提供在所述公共漏极区域和所述公共源极区域之间并且与所述公共漏极区域和所述公共源极区域二者接触，和b沿着所述第一方向由电介质材料彼此间隔开且彼此绝缘的多个栅极电极，每一个栅极电极定位为与所述沟道区域中的一个相邻，由电荷俘获材料与其分离开，每一个栅极电极沿着平行所述平坦表面的第二方向纵向延伸；第一导体段和第二导体段，其中，所述第一导体段电连接所述第一薄膜NOR存储器串和第二薄膜NOR存储器串的公共漏极区域二者，并且其中，所述第二导体段电连接所述第三薄膜NOR存储器串的公共漏极区域；第三导体段，电耦接到所述半导体衬底中的电路；以及第一位线选择晶体管和第二位线选择晶体管，其中，i所述第一位线选择晶体管当偏置为传导时将所述第一导体段连接到所述第三导体段，并且ii所述第二位线选择晶体管当偏置为传导时将所述第二导体段连接到所述第三导体段。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日升存储公司 三维垂直NOR闪速薄膜晶体管串
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