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三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备 

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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

摘要:本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备。三维存储器包括堆叠结构、多个沿第一方向设置的第一停止部、保护层和多个接触柱。堆叠结构包括台阶结构,台阶结构包括多个沿第一方向设置、且沿第二方向具有不同高度的阶梯结构。多个第一停止部位于至少一个阶梯结构的多个台阶上。保护层覆盖台阶结构和第一停止部,保护层的至少部分位于第一停止部和与第一停止部相邻的台阶之间。接触柱贯穿保护层和第一停止部,与第一停止部所对应的台阶中的栅极层连接。

主权项:一种三维存储器,包括:堆叠结构,包括交替设置的栅极层和介质层;所述堆叠结构包括台阶结构,所述台阶结构包括多个沿第一方向设置、且沿第二方向具有不同高度的阶梯结构;所述阶梯结构包括多个台阶;所述第一方向与所述第二方向垂直;多个沿所述第一方向设置的第一停止部,位于至少一个所述阶梯结构的多个台阶上,每个所述第一停止部设置于对应的所述台阶上;保护层,覆盖所述台阶结构和所述第一停止部;和多个接触柱,所述接触柱贯穿所述保护层和所述第一停止部,与所述第一停止部所对应的所述台阶中的栅极层连接。

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