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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种MOSFET器件有源区结构、MOSFET器件及制备方法，该有源区结构包括多个呈矩阵分布的有源区单元；每个有源区单元均包括一个呈方形的接触孔，以及设置在接触孔外围的沟槽，且接触孔与沟槽之间的间距为第一距离；将部分接触孔与沟槽之间的间距从第一距离缩短为第二距离，并令第二距离与第一距离交叉间隔分布。本发明通过缩短部分接触孔与沟槽之间的间距，从而实现通过接触孔注入来增加该区域的体区浓度，改进了MOSFET器件的源极结构，使得MOSFET器件更适合于在线性模式下工作，也使得MOSFET器件抗冲击力的能力更强。
主权项：1.一种MOSFET器件有源区结构，其特征在于，包括多个呈矩阵分布的有源区单元；每个所述有源区单元均包括一个呈方形的接触孔，以及设置在所述接触孔外围的沟槽，且所述接触孔与所述沟槽之间的间距为第一距离；将部分接触孔与沟槽之间的间距从所述第一距离缩短为第二距离，并令所述第二距离与所述第一距离交叉间隔分布。
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权利要求：
百度查询： 华羿微电子股份有限公司 一种MOSFET器件有源区结构、MOSFET器件及制备方法
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