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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法，将一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第一反应气体，进行第一薄膜沉积，在硅片和炉管内壁生成一层第一薄膜；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第一薄膜的膜厚小于第一预设值，则继续执行该步骤，否则执行后续步骤；将另一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第二反应气体，进行第二薄膜沉积，在炉管内壁的第一薄膜表面上以及硅片表面生成一层第二薄膜，第二薄膜的内应力与第一薄膜的内应力相反；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第二薄膜的膜厚小于第二预设值，则继续执行该步骤，否则执行后续步骤。本发明可以降低成膜过程中的颗粒缺陷，提高产品的良率。
主权项：1.一种减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、将一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第一反应气体，进行第一薄膜沉积，在硅片和炉管内壁生成一层第一薄膜；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第一薄膜的膜厚小于第一预设值，则继续执行步骤一，否则执行步骤二；步骤二、将另一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第二反应气体，进行第二薄膜沉积，在炉管内壁的第一薄膜表面上以及硅片表面生成一层第二薄膜，第二薄膜的内应力与第一薄膜的内应力相反；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第二薄膜的膜厚小于第二预设值，则继续执行步骤二，否则执行步骤三；步骤三、重复上述步骤一和步骤二，循环若干次至炉管内壁上的第一薄膜、第二薄膜的膜厚达到第三预设值后，对炉管进行清洗和维护。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法
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