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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开了一种考虑沟道电阻的场效应晶体管器件小信号寄生参数提取方法及系统，涉及半导体器件建模技术领域，包括：获取小信号等效电路；采用冷夹断的低频段的散射参数，将冷夹断的低频段的散射参数转化为导纳参数，结合小信号等效电路，计算寄生电容；采用零偏条件下的散射参数，结合小信号等效电路计算寄生电感和寄生电阻；寄生电容、寄生电感和寄生电阻统称寄生参数。本发明通过在参数提取过程中引入沟道电阻提高了小信号等效电路的表征精度同时不会对器件造成损伤，为后续电路设计以及器件优化提供重要参考。
主权项：1.一种考虑沟道电阻的场效应晶体管器件小信号寄生参数提取方法，其特征在于，包括：获取小信号等效电路；采用冷夹断的低频段的散射参数，将所述冷夹断的低频段的散射参数转化为导纳参数，结合所述小信号等效电路，计算寄生电容；采用零偏条件下的散射参数，结合所述小信号等效电路计算寄生电感和寄生电阻；所述寄生电容、寄生电感和寄生电阻统称寄生参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种考虑沟道电阻的场效应晶体管器件小信号寄生参数提取方法及系统
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