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申请/专利权人：杭州行芯科技有限公司
摘要：本申请提供了一种寄生电容的计算方法、装置及电子设备；所述方法包括：获取目标版图中的第一模式版图，以所述第一模式版图中每一导体为主导体计算获得所述第一模式版图中的寄生电容信息；获取目标版图中的第二模式版图，其中，所述第二版图模式包括第一导体以及第一相邻层中与所述第一导体具有重叠覆盖区域的至少两个导体；确定所述第一相邻层中的至少一个第二导体，以每一所述第二导体为主导体计算获得所述第二模式版图中的寄生电容信息；至少根据所述第一模式版图的寄生电容信息以及所述第二模式版图的寄生电容信息确定所述目标版图的寄生电容信息。本申请提供的寄生电容的计算方法提高了寄生电容的计算速度。
主权项：1.一种寄生电容的计算方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标版图中的第一模式版图，以所述第一模式版图中每一导体为主导体计算获得所述第一模式版图中的寄生电容信息；获取目标版图中的第二模式版图，其中，所述第二版图模式包括第一导体以及第一相邻层中与所述第一导体具有重叠覆盖区域的至少两个导体；确定所述第一相邻层中的至少一个第二导体，针对各个所述第二导体，以所述第二导体为主导体构建第一九宫格模型，根据所述第一九宫格模型计算第一电容值；将所述第一电容值确定为所述第二导体与所述第一导体之间的寄生电容信息；根据第二模式版图中的所有所述第二导体与所述第一导体之间的寄生电容信息获得所述第二模式版图中的寄生电容信息；至少根据所述第一模式版图的寄生电容信息以及所述第二模式版图的寄生电容信息确定所述目标版图的寄生电容信息。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州行芯科技有限公司 一种寄生电容的计算方法、装置及电子设备
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