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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本公开涉及使用图案化基础结构制作基于纳米带的晶体管。公开了基于纳米带的晶体管和相关联的晶体管装置的制作方法、IC结构和设备。一种示例性制作方法基于对在上方提供超晶格的基础结构进行图案化，使得可以使用单个超晶格形成PMOS纳米带堆叠体和NMOS纳米带堆叠体两者。一种示例性IC结构包括：支座；在该支座上方一个叠一个地垂直堆叠的纳米带的NMOS堆叠体；以及在该支座上方一个叠一个地垂直堆叠的纳米带的PMOS堆叠体，其中，NMOS堆叠体的纳米带中的至少一者相对于PMOS堆叠体的纳米带中的至少一者垂直偏移。
主权项：1.一种集成电路IC结构，包括：支座；在所述支座上方一个叠一个地垂直堆叠的纳米带的第一堆叠体，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带的部分是N型晶体管的沟道区域；以及在所述支座上方一个叠一个地垂直堆叠的纳米带的第二堆叠体，其中，所述第二堆叠体的所述纳米带的部分是P型晶体管的沟道区域，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带中的至少一者相对于所述第二堆叠体的所述纳米带中的至少一者垂直偏移。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 使用图案化基础结构制作基于纳米带的晶体管
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