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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请公开了一种晶体管和存储阵列，该晶体管包括依次堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，第一导电层、第二导电层和第三导电层之间相互隔离；沟道柱，沟道柱包括第一介质层、沟道层和填充层，第一介质层覆盖第二导电层的侧壁并延伸至第一导电层和第三导电层，沟道层覆盖第一介质层，沟道层接触第一导电层和第三导电层，填充层设置于沟道柱的主体部分中除第一介质层和沟道层以外的其他区域，沟道柱的主体部分位于第一导电层和第三导电层之间的第一通孔中，填充层采用绝缘材料。本申请的方案有利于提升存储阵列的存储密度。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：依次堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层之间相互隔离；沟道柱，所述沟道柱包括第一介质层、沟道层和填充层，所述第一介质层覆盖所述第二导电层的侧壁并延伸至所述第一导电层和所述第三导电层，所述沟道层覆盖所述第一介质层，所述沟道层接触所述第一导电层和所述第三导电层，所述填充层设置于所述沟道柱的主体部分中除所述第一介质层和所述沟道层以外的其他区域，所述沟道柱的主体部分位于所述第一导电层和所述第三导电层之间的第一通孔中，所述填充层采用绝缘材料。
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