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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请案涉及形成装置的方法及相关装置及电子系统。一种形成装置的方法包括在上覆于导电触点结构的其他电介质结构上方形成电介质结构，所述电介质结构通过沟槽彼此分离且正交于所述其他电介质结构及所述导电触点结构横向延伸。在所述沟槽内所述电介质结构的经暴露侧表面上形成导电栅极结构。在所述沟槽内所述导电栅极结构的经暴露侧表面上形成电介质氧化物结构。移除所述其他电介质结构的经暴露部分以形成隔离结构。在所述沟槽内所述电介质氧化物结构及所述隔离结构的经暴露侧表面上形成半导电支柱。所述半导电支柱与所述导电触点结构电接触。在所述半导电支柱的上表面上形成额外导电触点结构。还描述一种装置、一种存储器装置及一种电子系统。
主权项：1.一种存储器装置，其包括：存取线；数据线；源极线；存储器单元，其在所述数据线与所述源极线之间，每一存储器单元包括：垂直存取装置，其电耦合到所述存取线，所述垂直存取装置包括：沟道支柱，其包括至少一种氧化物半导体材料；源极触点，其垂直地介于所述源极线与所述沟道支柱之间；漏极触点，其在所述沟道支柱上；栅极电极，其横向邻近所述沟道支柱且电耦合到所述存取线；及栅极电介质材料，其在所述沟道支柱与所述栅极电极之间；及存储器元件，其在所述数据线与所述垂直存取装置的所述漏极触点之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 形成装置的方法及相关装置与电子系统
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