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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管结构及其制备方法。本发明通过回刻蚀由沟槽所界定的有源区的衬底形成凹槽，并于所述凹槽内生长形成晶格常数大于所述衬底的晶格常数的外延层，所述外延层作为所述场效应晶体管结构的沟道区，且所述外延层与沟槽内形成的浅沟槽隔离结构的侧壁相接触，所述外延层能够在所述浅沟槽隔离结构与所述外延层的交界处形成压缩应力，所述外延层的压缩应力可以减少所述浅沟槽隔离结构的压缩应力所引起的沟道区边缘硼偏析。
主权项：1.一种场效应晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底内形成有具有第一深度的沟槽以及由所述沟槽所界定的所述场效应晶体管结构的有源区；回刻蚀所述有源区的所述衬底形成具有第二深度的凹槽，所述凹槽与所述沟槽连通，所述第二深度小于所述第一深度；于所述凹槽内生长形成外延层作为所述场效应晶体管结构的沟道区，所述外延层的晶格常数大于所述衬底的晶格常数；于所述沟槽内填充形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的侧壁与所述外延层相接触；以及于所述外延层表面的形成所述场效应晶体管结构的栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 场效应晶体管结构及其制备方法
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