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掩膜板及发光二极管的制作方法 

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申请/专利权人:京东方华灿光电(浙江)有限公司

摘要:本公开提供了一种掩膜板及发光二极管的制作方法,属于半导体领域。该掩膜板包括:多个区域,所述多个区域包括中心区域和多个环形区域,所述中心区域位于所述掩膜板的中心,所述多个环形区域环绕所述中心区域,且沿着从所述掩膜板的中心到边缘的方向依次排布;每个所述区域均包括多个子掩膜板,所述子掩膜板包括第一部分与第二部分;任意两个相邻的所述区域中,靠近所述掩膜板的中心的所述区域内的所述子掩膜板的所述第一部分的面积,小于远离所述掩膜板的中心的所述区域内的所述子掩膜板的所述第一部分的面积。

主权项:1.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板具有多个区域,所述多个区域包括中心区域10和多个环形区域11,所述中心区域10位于所述掩膜板的中心,所述多个环形区域11环绕所述中心区域10,且沿着从所述掩膜板的中心到边缘的方向依次排布;每个所述区域均包括多个子掩膜板20,所述子掩膜板20包括第一部分21与第二部分22;任意两个相邻的所述区域中,靠近所述掩膜板的中心的所述区域内的所述子掩膜板20的所述第一部分21的面积,小于远离所述掩膜板的中心的所述区域内的所述子掩膜板20的所述第一部分21的面积。

全文数据:

权利要求:

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