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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本发明提供了一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积方法及一种计算机可读存储介质。所述薄膜沉积设备包括工艺腔室、真空泵、反应气源、吹扫气源及控制器。所述工艺腔室中包括晶圆托盘。所述真空泵经由第一阀门及晶圆吸附管路连接所述晶圆托盘。所述反应气源经由第二阀门连接所述工艺腔室。所述吹扫气源经由第三阀门连接所述工艺腔室，并经由第四阀门及所述晶圆吸附管路连接所述晶圆托盘。本发明可以通过设置一种新的解吸附气体通入路径，用于缓解气动阀门的内漏问题，以降低薄膜沉积设备的维护成本。
主权项：1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：工艺腔室，其中包括晶圆托盘；真空泵，经由第一阀门及晶圆吸附管路连接所述晶圆托盘；反应气源，经由第二阀门连接所述工艺腔室；吹扫气源，经由第三阀门连接所述工艺腔室，并经由第四阀门及所述晶圆吸附管路连接所述晶圆托盘；以及控制器，被配置为：在完成晶圆的薄膜沉积工艺之后，开启所述第一阀门、所述第二阀门及所述第四阀门，并通过控制所述第一阀门、所述第二阀门及所述第四阀门的开度，在吸附所述晶圆的同时，清洁所述晶圆吸附管路；响应于完成所述晶圆吸附管路的清洁，先解吸附所述晶圆，再依次关闭所述第二阀门、所述第四阀门及所述第一阀门，以将所述工艺腔室抽为真空，并将所述晶圆传出所述工艺腔室；以及响应于所述晶圆被传出所述工艺腔室，关闭所述第二阀门，并开启所述第一阀门、所述第三阀门及所述第四阀门，以同步清洁所述工艺腔室及所述晶圆吸附管路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质
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