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申请/专利权人：柔电(武汉)科技有限公司
摘要：本发明提供了一种利用原子层沉积和原子层刻蚀制备的量子点复合微球及方法，包括采用原子层沉积法在核材料外包覆半导体薄膜至超过21nm，利用原子层刻蚀法将半导体薄膜刻蚀至厚度不大于5nm，所述核材料为非半导体的金属氧化物、二氧化硅。本发明采用原子层沉积（ALD）结合原子层刻蚀ALE技术，可以实现对于量子点尺寸的埃米级精度调控，有效解决了现有技术中无法实现这一精度的问题，从而提高了量子点的性能和应用范围；同时，避免了量子点在制备过程中容易发生团聚，提高了量子点的效率，而且形成均匀致密且厚度可控的量子点薄膜；可沉积不同种类的量子点薄膜，具有广泛的适用性，满足了市场对于多样化量子点的需求。
主权项：1.一种利用原子层沉积和原子层刻蚀制备量子点复合微球的方法，其特征在于，包括以下步骤：S01.采用原子层沉积法在核材料外包覆半导体薄膜；S02.利用原子层刻蚀法将步骤S01中所包覆的半导体薄膜刻蚀至厚度不大于5nm；S03.重复步骤S01~S02，依次在核材料外包覆多层不同种类的半导体薄膜；所述核材料为非半导体的金属氧化物，所述金属氧化物中的金属包括硅。
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